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抗硫化厚膜片式固定电阻器

Anti-Sulfurated Thick Film Chip Fixed Resistor


优越的防止硫化性能的贴片电阻。

工艺:厚膜技术 封装:片式 用途/特性:抗硫化

精度:D:0.5% F:1% G:2% J:5% K:10%

阻值范围:1Ω ~ 22MΩ

标准阻值:E24 E96

温度系数:±100ppm ~ ±400ppm

工作温度:–55 to +125/155 °C

 

简介

现有片式厚膜固定电阻器面电极一般是银钯合金的,普通厚膜片式电阻器面电极含钯量为0.5%左右,根据片式厚膜固定电阻器的结构,面电极是连接电阻体和焊接端头用的内部电极。 由于二次保护层和焊接端头之间有微量的缝隙,当空气中含有大量硫化气体时,硫化气体会沿着缝隙与内电极接触,银被硫化反应成硫化银。 由于硫化银不导电,所以随着电极被硫化,电阻值逐渐增大,直至最终成为开路,导致电阻器失效。

在实际工作中,并非只有用在化工厂的电阻会被硫化,在矿业、火力发电厂中的电阻同样存在被硫化的危险,甚至在某些场合仅仅因为在封闭环境中使用了含硫的橡胶、油也会导致在高温下释放的硫导致电阻硫化,因此汽车电子中也逐渐开始重视电阻的防硫化。

防硫化电阻为了避免内电极硫化,一般情况下,厚膜片式电阻器防硫化是从两个方面进行的:

一是通过改善二次保护包覆层设计,让底层电极覆盖上二次保护,并达到一定尺寸,在电镀时,ni层和sn-pb层均能容易地覆盖上二次保护层,这样可以减少二次保护层和焊接端头之间有微量的缝隙,避免硫化气体的侵入,提高了产品的防硫化能力;

二是从材料角度出发,提高面电极ag/pd浆料中钯的含量,把钯的含量从通常的0.5%提高到5%以上,由于浆料中钯含量的提高,钯的稳定性提高了电阻抗硫化能力。

第一种方法仅仅是减少了二次保护层与面电极之间的缝隙,只是减慢了硫化的速度,不能完全做到防硫化;第二种方法由于在面电极浆料中增加了贵金属钯的含量,使片式电阻器的材料成本增加很多。

 
 

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Create Time:2023年10月26日 19:42:08